Manufacturing methods to protect ulk materials from damage during etch processing to obtain desired features
WO2018038922
Art A1
1. März 2018
Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018038922
- Aktenzeichen
- EP17844119
- Anmeldetag
- 9. August 2017
- Veröffentlichung
- 1. März 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/027H01L21/02H01L21/768H01L21/3065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tokyo Electron Limited
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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