Led epitaxial wafer grown on scandium magnesium aluminum oxide substrate and preparation method therefor

WO2018040123 Art A1 8. März 2018

Anmelder: South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018040123
Aktenzeichen: EP16914687
Anmeldetag: 10. September 2016
Veröffentlichung: 8. März 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00H01L33/32H01L33/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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