Wet etching device and wet etching method for oxide semiconductor film

WO2018040683 Art A1 8. März 2018

Anmelder: Sun Yat-Sen University, Foshan Research Institute Of Sun Yat-Sen University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018040683
Aktenzeichen: EP17844989
Anmeldetag: 21. Juni 2017
Veröffentlichung: 8. März 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/67H01L21/467

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Sun Yat-Sen University
Foshan Research Institute Of Sun Yat-Sen University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Sun Yat-Sen University

Die Sun Yat-Sen University ist eine bedeutende chinesische Forschungsuniversität mit Hauptsitz in Guangzhou. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie Software und Datenverarbeitung, ergänzt um organische Chemie und Pharma. Anmeldungen sind seit 2003 dokumentiert.

527 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von