Iii nitride microcrystal aggregate production method, gallium nitride microcrystal aggregate production method, iii nitride microcrystal aggregate, and sputtering target

WO2018042705 Art A1 8. März 2018

Anmelder: Tokyo Electron Limited, Osaka University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018042705
Aktenzeichen: EP17845716
Anmeldetag: 17. Februar 2017
Veröffentlichung: 8. März 2018
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C23C14/34C30B9/10C30B9/12H01L21/203H01L21/208

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Tokyo Electron Limited
Osaka University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

1.047 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von