Method for producing magnetic memory comprising magnetic tunnel junction element
WO2018043377
Art A1
8. März 2018
Anmelder: Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018043377
- Aktenzeichen
- EP17846382
- Anmeldetag
- 28. August 2017
- Veröffentlichung
- 8. März 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L43/12H01L21/8239H01L27/105H01L43/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tohoku University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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Fachgebiete
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