Magnetoresistive memory apparatus capable of recognizing state change during writing operation, and reading and writing operation method therefor

WO2018043903 Art A1 8. März 2018

Anmelder: SK Hynix Inc. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2018043903
Aktenzeichen
EP17846828
Anmeldetag
5. Juli 2017
Veröffentlichung
8. März 2018
Rechtsraum
WO
IPC
G11C11/16
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
SK Hynix Inc.
Land
🇰🇷 Südkorea
🇰🇷 SK hynix

Südkoreanischer Halbleiterhersteller, der Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash für Computer, Server und mobile Geräte produziert.

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