Magnetoresistive memory apparatus capable of recognizing state change during writing operation, and reading and writing operation method therefor
WO2018043903
Art A1
8. März 2018
Anmelder: SK Hynix Inc. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018043903
- Aktenzeichen
- EP17846828
- Anmeldetag
- 5. Juli 2017
- Veröffentlichung
- 8. März 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C11/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SK Hynix Inc.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
SK hynix
Südkoreanischer Halbleiterhersteller, der Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash für Computer, Server und mobile Geräte produziert.
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