Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

WO2018047551 Art A1 15. März 2018

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018047551
Aktenzeichen: EP17848495
Anmeldetag: 4. August 2017
Veröffentlichung: 15. März 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/60H01L21/301H01L25/07H01L25/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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