Crystalline defect evaluation method

WO2018047590 Art A1 15. März 2018

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018047590
Aktenzeichen: EP17848534
Anmeldetag: 16. August 2017
Veröffentlichung: 15. März 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/66C30B29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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