Method for producing gallium nitride crystal
WO2018047769
Art A1
15. März 2018
Anmelder: Dexerials Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018047769
- Aktenzeichen
- EP17848709
- Anmeldetag
- 4. September 2017
- Veröffentlichung
- 15. März 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/38C30B9/00C30B19/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Dexerials Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Dexerials
Japanischer Hersteller elektronischer Komponenten und optischer Materialien mit Sitz in Tokio, 2012 als Ausgründung aus Sony Chemical hervorgegangen.
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