Substrate for semiconductor device, semiconductor device, and method for manufacturing substrate for semiconductor device

WO2018051532 Art A1 22. März 2018

Anmelder: Sanken Electric Co., Ltd., Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018051532
Aktenzeichen: EP17850442
Anmeldetag: 24. Februar 2017
Veröffentlichung: 22. März 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338H01L21/20H01L21/205H01L29/778H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Sanken Electric Co., Ltd.
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sanken Electric

Sanken Electric ist ein japanischer Hersteller von Leistungshalbleitern und elektronischen Bauelementen. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiterbauelemente und elektrische Energietechnik, ergänzt durch Schaltungstechnik. Die Titel betreffen unter anderem Siliziumcarbid-Halbleiterbauelemente und deren Herstellung.

289 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.180 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von