Substrate for semiconductor device, semiconductor device, and method for manufacturing substrate for semiconductor device
WO2018051532
Art A1
22. März 2018
Anmelder: Sanken Electric Co., Ltd., Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018051532
- Aktenzeichen
- EP17850442
- Anmeldetag
- 24. Februar 2017
- Veröffentlichung
- 22. März 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/338H01L21/20H01L21/205H01L29/778H01L29/812
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sanken Electric Co., Ltd.
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
1.022 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.