Composition for forming resist lower-layer film, resist lower-layer film and method for forming same, and method for manufacturing patterned substrate
WO2018051930
Art A1
22. März 2018
Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018051930
- Aktenzeichen
- EP17850832
- Anmeldetag
- 8. September 2017
- Veröffentlichung
- 22. März 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/11C07D265/12C07D265/14C07D413/14G03F7/20H01L21/027
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JSR Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JSR Corporation
JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.
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