Semiconductor device, and production method therefor
WO2018052098
Art A1
22. März 2018
Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018052098
- Aktenzeichen
- EP17850998
- Anmeldetag
- 14. September 2017
- Veröffentlichung
- 22. März 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L21/336H01L29/06H01L29/739H01L29/861H01L29/868
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Fuji Electric Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fuji Electric
Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.
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