An integrated method for wafer outgassing reduction

WO2018052477 Art A2 22. März 2018

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018052477
Aktenzeichen: EP17851200
Anmeldetag: 27. Januar 2017
Veröffentlichung: 22. März 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/20H01L21/02H01L21/67

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

10.780 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von