Multi-layer semiconductor structure and methods for fabricating multi-layer semiconductor structures

WO2018056965 Art A1 29. März 2018

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018056965
Aktenzeichen: EP16916936
Anmeldetag: 21. September 2016
Veröffentlichung: 29. März 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/70

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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