Memory device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus comprising the memory device

WO2018058812 Art A1 5. April 2018

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018058812
Aktenzeichen: EP16917557
Anmeldetag: 20. Dezember 2016
Veröffentlichung: 5. April 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11568H01L27/11521H01L27/11507

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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