Verfahren zum Herstellen einer Elektrischen Kontaktierung einer Halbleiterschicht und Halbleiterbauelement mit Elektrischer Kontaktierung
WO2018060206
Art A1
5. April 2018
Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018060206
- Aktenzeichen
- EP17787336
- Anmeldetag
- 26. September 2017
- Veröffentlichung
- 5. April 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/38H01L33/40H01L33/42
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- OSRAM Opto Semiconductors GmbH
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
OSRAM Opto Semiconductors
Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.
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