Memory device, method of forming the same, method for controlling the same and memory array

WO2018063093 Art A1 5. April 2018

Anmelder: Nanyang Technological University 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018063093
Aktenzeichen: EP17856913
Anmeldetag: 12. September 2017
Veröffentlichung: 5. April 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00G11C13/00H01L27/24

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Nanyang Technological University
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 Nanyang Technological University

Die Nanyang Technological University ist eine staatliche Forschungsuniversität in Singapur, die in den Bereichen Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologie international hoch angesehen ist.

1.005 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von