Methods and apparatus to form silicon-based transistors on group iii-nitride materials using aspect ratio trapping

WO2018063252 Art A1 5. April 2018

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018063252
Aktenzeichen: EP16917955
Anmeldetag: 29. September 2016
Veröffentlichung: 5. April 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L27/092H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.645 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von