Two transistor, one resistor non-volatile gain cell memory and storage element
WO2018063308
Art A1
5. April 2018
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018063308
- Aktenzeichen
- EP16918002
- Anmeldetag
- 30. September 2016
- Veröffentlichung
- 5. April 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C13/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
26.645 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.