Systems, methods, and apparatuses for implementing bi-layer semiconducting oxides in source and drain for low access and contact resistance of thin film transistors
WO2018063343
Art A1
5. April 2018
Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018063343
- Aktenzeichen
- EP16918036
- Anmeldetag
- 30. September 2016
- Veröffentlichung
- 5. April 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Intel Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
26.645 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.