Systems, methods, and apparatuses for implementing bi-layer semiconducting oxides in source and drain for low access and contact resistance of thin film transistors

WO2018063343 Art A1 5. April 2018

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2018063343
Aktenzeichen
EP16918036
Anmeldetag
30. September 2016
Veröffentlichung
5. April 2018
Rechtsraum
WO
IPC
H01L29/78H01L21/768
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Intel Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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