Systems, methods, and apparatuses for implementing a high mobility low contact resistance semiconducting oxide in metal contact vias for thin film transistors

WO2018063347 Art A1 5. April 2018

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018063347
Aktenzeichen: EP16918040
Anmeldetag: 30. September 2016
Veröffentlichung: 5. April 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/10H01L29/49H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.645 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von