Finfet transistor with channel stress induced via stressor material inserted into fin plug region enabled by backside reveal

WO2018063404 Art A1 5. April 2018

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018063404
Aktenzeichen: EP16918093
Anmeldetag: 30. September 2016
Veröffentlichung: 5. April 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/66H01L29/417

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.645 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von