Glass substrate cleaning method, semiconductor device manufacturing method, and glass substrate

WO2018065861 Art A1 12. April 2018

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018065861
Aktenzeichen: EP17857922
Anmeldetag: 29. September 2017
Veröffentlichung: 12. April 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/304H01L21/336H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von