Semiconductor element substrate, etching method, and etching solution
WO2018066289
Art A1
12. April 2018
Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018066289
- Aktenzeichen
- EP17858128
- Anmeldetag
- 4. September 2017
- Veröffentlichung
- 12. April 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/308H01L21/20H01L21/306H01L21/3065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JSR Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JSR Corporation
JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.
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