Semiconductor Element
WO2018066483
Art A1
12. April 2018
Anmelder: Tokyo Institute of Technology, AGC INC. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018066483
- Aktenzeichen
- EP17858321
- Anmeldetag
- 29. September 2017
- Veröffentlichung
- 12. April 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/28H01L29/786H01L31/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Tokyo Institute of Technology
AGC INC. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Institute of Technology
Japanische technische Universität in Tokio mit Schwerpunkt auf Natur- und Ingenieurwissenschaften. Seit 2024 firmiert sie im Zuge einer Fusion als Institute of Science Tokyo.
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🇯🇵
AGC (Asahi Glass)
Japanischer Glas- und Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, früher als Asahi Glass Company firmierend. AGC entwickelt Flachglas, elektronische Materialien, Spezialchemikalien sowie Glasprodukte für Automobil-, Bau- und Elektronikindustrie.
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