Method for depositing metals free ald silicon nitride films using halide-based precursors

WO2018067299 Art A1 12. April 2018

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018067299
Aktenzeichen: EP17858886
Anmeldetag: 19. September 2017
Veröffentlichung: 12. April 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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