Select Transistors With Tight Threshold Voltage in 3D Memory

WO2018071116 Art A1 19. April 2018

Anmelder: SanDisk Technologies LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2018071116
Aktenzeichen
EP17771636
Anmeldetag
7. September 2017
Veröffentlichung
19. April 2018
Rechtsraum
WO
IPC
H01L27/1158H01L27/11524H01L27/11553H01L27/1157
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
SanDisk Technologies LLC
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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