Method for selectively etching with reduced aspect ratio dependence

WO2018071181 Art A1 19. April 2018

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018071181
Aktenzeichen: EP17860426
Anmeldetag: 27. September 2017
Veröffentlichung: 19. April 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311H01L21/3065H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von