Composition for forming resist underlayer film, resist underlayer film, formation method for resist underlayer film, production method for patterned substrate, and compound
WO2018074534
Art A1
26. April 2018
Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018074534
- Aktenzeichen
- EP17861866
- Anmeldetag
- 18. Oktober 2017
- Veröffentlichung
- 26. April 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/11C07C33/28C07C35/44C07C43/166C08F299/02G03F7/20G03F7/26H01L21/027
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JSR Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JSR Corporation
JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.
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