Thin-film transistor, production method therefor, and solution for forming gate insulation film for thin-film transistor

WO2018074607 Art A1 26. April 2018

Anmelder: Toppan Printing Co., Ltd., Japan Advanced Institute of Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018074607
Aktenzeichen: EP17861360
Anmeldetag: 20. Oktober 2017
Veröffentlichung: 26. April 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/283H01L21/336

Offizieller Volltext

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Anmelder

Firmen: Toppan Printing Co., Ltd.
Japan Advanced Institute of Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toppan Printing

Japanischer Konzern für Druck- und Verpackungstechnologien mit Sitz in Tokio, seit 1900 tätig. Produziert zudem Displays, Halbleitermasken und Sicherheitsdrucke.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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