Method of repairing damage of gate insulator film of field effect transistor, using forward bias current

WO2018080004 Art A1 3. Mai 2018

Anmelder: Korea Advanced Institute of Science and Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018080004
Aktenzeichen: EP17866041
Anmeldetag: 1. September 2017
Veröffentlichung: 3. Mai 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/66H01L27/02H01L29/423H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Korea Advanced Institute of Science and Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 KAIST

Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.

1.309 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von