Method of fabricating air-gap spacer for n7/n5 finfet and beyond

WO2018080712 Art A1 3. Mai 2018

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018080712
Aktenzeichen: EP17865805
Anmeldetag: 27. September 2017
Veröffentlichung: 3. Mai 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/66H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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