Oxide semiconductor transistor with dual gate structure and method for manufacturing same

WO2018084421 Art A1 11. Mai 2018

Anmelder: University - Industry Cooperation Group of Kyung Hee University 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018084421
Aktenzeichen: EP17867839
Anmeldetag: 13. September 2017
Veröffentlichung: 11. Mai 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L27/32

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: University - Industry Cooperation Group of Kyung Hee University
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 University-Industry Cooperation Group of Kyung Hee University

Die University-Industry Cooperation Group of Kyung Hee University ist die Patentverwertungseinrichtung der südkoreanischen Kyung Hee University in Seoul. Das Portfolio verteilt sich auf Medizintechnik und Gesundheit, Nachrichtentechnik und Telekommunikation sowie Halbleitertechnik und Landwirtschaft. Anmeldungen laufen seit 2004 bis in die Gegenwart.

401 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von