Nitride semiconductor substrate and method for manufacturing same

WO2018088441 Art A1 17. Mai 2018

Anmelder: Asahi Kasei Kabushiki Kaisha, Meijo University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018088441
Aktenzeichen: EP17869907
Anmeldetag: 8. November 2017
Veröffentlichung: 17. Mai 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205H01L33/16H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Asahi Kasei Kabushiki Kaisha
Meijo University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Asahi Kasei

Asahi Kasei ist ein japanischer Mischkonzern mit Sitz in Tokio, der in den Bereichen Chemie und Kunststoffe, Wohnungsbau sowie Medizintechnik tätig ist. Das 1922 gegründete Unternehmen zählt zu den größten Chemiekonzernen Japans.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von