Etching device and etching method

WO2018088532 Art A1 17. Mai 2018

Anmelder: Tokyo Electron Limited, Osaka University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018088532
Aktenzeichen: EP17868551
Anmeldetag: 10. November 2017
Veröffentlichung: 17. Mai 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H05H1/46

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Tokyo Electron Limited
Osaka University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

1.047 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von