Method for reducing the wet etch rate of a sin film without damaging the underlying substrate

WO2018089314 Art A1 17. Mai 2018

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018089314
Aktenzeichen: EP17870031
Anmeldetag: 6. November 2017
Veröffentlichung: 17. Mai 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/306H01L21/311H01L21/3213H01L21/02H01L21/324

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von