Method for high modulus ald sio2 spacer

WO2018089534 Art A1 17. Mai 2018

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018089534
Aktenzeichen: EP17869525
Anmeldetag: 8. November 2017
Veröffentlichung: 17. Mai 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027H01L21/3065H01L21/67H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von