Method of forming gate spacer for nanowire fet device

WO2018090001 Art A1 17. Mai 2018

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018090001
Aktenzeichen: EP17869275
Anmeldetag: 14. November 2017
Veröffentlichung: 17. Mai 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/423H01L29/66H01L29/06H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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