Device forming method

WO2018092401 Art A1 24. Mai 2018

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018092401
Aktenzeichen: EP17870753
Anmeldetag: 15. September 2017
Veröffentlichung: 24. Mai 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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