Through-electrode substrate, semiconductor device using through-electrode substrate, and through-electrode substrate manufacturing method
WO2018092480
Art A1
24. Mai 2018
Anmelder: Dai Nippon Printing Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018092480
- Aktenzeichen
- EP17872067
- Anmeldetag
- 13. Oktober 2017
- Veröffentlichung
- 24. Mai 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H05K1/02H01L23/12H01L23/32H05K1/11H05K3/40H05K3/42
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Dai Nippon Printing Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Dai Nippon Printing
Japanisches Unternehmen der Druckindustrie mit Sitz in Tokio, das sich über klassische Druckerzeugnisse hinaus in Elektronikmaterialien, Displaykomponenten und Verpackungslösungen diversifiziert hat.
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