Hemt having conduction barrier between drain fingertip and source

WO2018093675 Art A1 24. Mai 2018

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018093675
Aktenzeichen: EP17871112
Anmeldetag: 10. November 2017
Veröffentlichung: 24. Mai 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/335H01L29/778

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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