Methods for growing iii-v compound semiconductors from diamond-shaped trenches on silicon and associated devices

WO2018095020 Art A1 31. Mai 2018

Anmelder: The Hong Kong University of Science and Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018095020
Aktenzeichen: EP17874820
Anmeldetag: 19. Juni 2017
Veröffentlichung: 31. Mai 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: The Hong Kong University of Science and Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 The Hong Kong University of Science and Technology

The Hong Kong University of Science and Technology ist eine chinesische Universität mit breiter naturwissenschaftlicher und technischer Forschung. Das Patentportfolio verteilt sich auf Medizintechnik, organische Chemie und Halbleiterbauelemente, ergänzt um Farben, Messtechnik und Nachrichtentechnik. Anmeldungen laufen von 2002 bis in die Gegenwart.

346 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von