Method of forming resistive random access memory (rram) cells

WO2018097911 Art A1 31. Mai 2018

Anmelder: Silicon Storage Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018097911
Aktenzeichen: EP17875001
Anmeldetag: 19. Oktober 2017
Veröffentlichung: 31. Mai 2018
Rechtsraum: WO
IPC: G11C13/00H01L45/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Silicon Storage Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Silicon Storage Technology

Silicon Storage Technology ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der auf nichtflüchtige Speichertechnologien spezialisiert ist und zu Microchip Technology gehört. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Datenspeicherung sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Software. Anmeldungen laufen durchgehend seit 2000.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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