Power Gating Circuit Utilizing Double-Gate Fully Depleted Silicon-On-Insulator Transistor

WO2018098052 Art A1 31. Mai 2018

Anmelder: The Curators of the University of Missouri 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018098052
Aktenzeichen: EP17873794
Anmeldetag: 20. November 2017
Veröffentlichung: 31. Mai 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H03K3/01H03K19/003H03K19/00H01L27/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Curators of the University of Missouri
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 The Curators of the University of Missouri

The Curators of the University of Missouri sind das Verwaltungsorgan des University-of-Missouri-Systems in den USA. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie Pharma und Biotechnologie, ergänzt um organische Chemie und Landwirtschaftstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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