Staircase Encapsulation in 3D Nand Fabrication

WO2018098197 Art A1 31. Mai 2018

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018098197
Aktenzeichen: EP17875021
Anmeldetag: 21. November 2017
Veröffentlichung: 31. Mai 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11551H01L27/11524H01L27/11529H01L27/11548

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von