Semiconductor radiation detector based on bi-based quaternary halide single crystal, and preparation method therefor

WO2018099322 Art A1 7. Juni 2018

Anmelder: Huazhong University of Science and Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018099322
Aktenzeichen: EP17875880
Anmeldetag: 24. November 2017
Veröffentlichung: 7. Juni 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Huazhong University of Science and Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Huazhong University of Science and Technology

Die Huazhong University of Science and Technology ist eine chinesische Universität mit Sitz in Wuhan und breiter technischer sowie medizinischer Forschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Software und Medizintechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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