A Method To Change an Etch Parameter

WO2018099690 Art A1 7. Juni 2018

Anmelder: ASML Netherlands B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018099690
Aktenzeichen: EP17797916
Anmeldetag: 6. November 2017
Veröffentlichung: 7. Juni 2018
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/20H01L21/30H01L21/67H01L21/66

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: ASML Netherlands B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 ASML

Niederländisches Unternehmen, das Lithografiesysteme und weitere Anlagen für die Halbleiterfertigung entwickelt und herstellt, zentral für die Chipindustrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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