Method for producing a semiconductor device and semiconductor device

WO2018104650 Art A1 14. Juni 2018

Anmelder: Total SA, Electricité de France, Ecole Polytechnique, Centre National de la Recherche Scientifique, Institut Photovoltaïque d'Ile de France - IPVF 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018104650
Aktenzeichen: EP17821682
Anmeldetag: 5. Dezember 2017
Veröffentlichung: 14. Juni 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/0236H01L31/18H01L21/3065H01L31/0216H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Total SA
Electricité de France
Ecole Polytechnique
Centre National de la Recherche Scientifique
Institut Photovoltaïque d'Ile de France - IPVF
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Électricité de France

Französischer Energiekonzern (EDF) mit Schwerpunkt auf Stromerzeugung, insbesondere Kernkraft, sowie Übertragung und Vertrieb elektrischer Energie. Patente betreffen Energie- und Kraftwerkstechnik.

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🇫🇷 Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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