Semiconductor device manufacturing method

WO2018105299 Art A1 14. Juni 2018

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018105299
Aktenzeichen: EP17879227
Anmeldetag: 8. November 2017
Veröffentlichung: 14. Juni 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/266H01L21/329H01L29/739H01L29/78H01L29/861H01L29/868

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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