Method for forming film on substrate, and film-forming system

WO2018105427 Art A1 14. Juni 2018

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018105427
Aktenzeichen: EP17878918
Anmeldetag: 27. November 2017
Veröffentlichung: 14. Juni 2018
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34C23C14/04C23C14/50C23C14/56H01L21/683

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von